学术报告 137
题目: [纳米物理与器件重点实验室系列学术报告(137)] 电荷补缀方法及其在大规模电子结构计算中的应用
时间: 2021年06月23日 15:00
地点: 中科院物理研究所M楼253会议室
报告人: 康俊

(北京计算科学研究中心)

Abstract:

传统的第一性原理密度泛函理论(DFT)方法受到计算能力的局限,能够模拟的体系规模通常小于一千原子。因此,常规DFT方法在很多问题的研究上受到限制,如低维纳米结构、合金材料、缺陷体系等,这些体系的计算往往需要构建数千至上万原子的超胞。电荷补缀法是近年来发展起来的一种大原胞第一性原理计算方法。该方法基于体系电荷密度的局域性特点,利用小体系中计算得到的电荷基元构建大体系中的电荷密度并求解电子结构。其计算量仅随原子数目线性增长,可处理上万原子规模的超胞并实现DFT级别精度。本次报告将简要介绍电荷补缀方法的基本原理,以及我们利用该方法在大规模体系模拟方面开展的一些工作,包括量子点体系、缺陷体系以及摩尔超晶格体系等。

报告人简介:

康俊,北京计算科学研究中心特聘研究员。2009年本科毕业于厦门大学,2014年博士毕业于中国科学院半导体研究所,2014-2019年先后在比利时安特卫普大学和美国劳伦斯伯克利国家实验室从事博士后研究。2019年入选国家级青年人才计划项目,并加入北京计算科学研究中心工作。主要从事新型低维半导体材料和器件的计算模拟和理论设计研究,包括能带调控机制、缺陷和杂质、输运特性和激发态等。目前在Nat. Mater.、Nat. Commun.、Nano Lett.、PRB等期刊发表论文70余篇,引用6000余次,入选爱思唯尔2020中国高被引学者。曾获2017年度国家自然科学二等奖(第三完成人)。

联系人:杨威特聘研究员(82648050)