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[应用物理中心系列学术报告(三)] 超大规模集成电路制造中的先进光刻技术
时间: 2018年12月11日 10:00
地点: 中科院物理研究所M楼236会议室
报告人: 韦亚一 研究员

中国科学院微电子研究所

报告人简介

韦亚一,中国科学院微电子研究所研究员,博士生导师,中组部第八批“千人计划”入选者。1998年毕业于德国斯图加特大学/马普固体研究所,获博士学位,师从诺贝尔物理奖获得者Klaus von Klitzing。先后在美国能源部橡树岭国家实验室、美国英飞凌公司纽约研发中心、美国格罗方德公司纽约研发中心工作。韦亚一博士长期从事半导体光刻领域设备、材料和制程研发,先后参与或主持了从180nm一直到7nm节点的光刻工艺研发,具有丰富的先进光刻研发经验,取得了多项核心技术。韦亚一博士发表了超过70篇的专业文献并持有多项美国专利,并于2013年7月回国工作,目前担任中国科学院微电子研究所计算光刻研发中心及开放实验室主任。

报告摘要

超大规模集成电路是现代信息社会发展的基础。集成电路制造技术是当前我国被“卡脖子”的技术之一,受到了我国政府、产业界和学术界的高度重视,也吸引了大量的研发资源。光刻技术是集成电路制造的核心技术,其性能直接影响着集成电路的电学性能和生产良率。随着集成电路制造进入更先进的技术节点,传统的光刻技术已经不能满足生产的需求,分辨率增强技术、计算光刻技术、极紫外光刻技术不断地被引入到集成电路制造中来。本报告从超大规模集成电路的制造流程出发,回顾光刻技术的发展历史,重点介绍光刻工艺的流程和投影式光刻系统的组成。分辨率是评价光刻成像性能的重要指标之一,本报告分析影响光刻成像分辨率的因素,介绍业界为提高光刻分辨率所采用的各种技术手段。计算光刻作为一种提高光刻成像性能的重要技术,也在本报告中有所体现。本报告还介绍当前最新的极紫外光刻的技术特征以及面临的挑战。最后,本报告也简要介绍了我们半导体产业的发展现状。

邀 请 人:李永庆(电话:8264 9557)

联 系 人:王  欢(电话:13699221255)


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