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[表面科学论坛(102)] 高迁移率二维氧化物半导体BOX的生长与器件
时间: 2018年02月06日 10:00
地点: 物理研究所M楼253会议室
报告人: 彭海琳 教授

北京大学

报告摘要
高迁移率二维半导体材料在微电子和光电子领域具有潜在应用前景,但当前的二维材料(石墨烯、拓扑绝缘体、过渡金属硫族化合物、黑磷等)很难同时满足高迁移率、合适带隙、高稳定性、可批量制备等关键要求,同时具有高迁移率、高稳定性和合适带隙的二维半导体材料亟待开发。最近,我们发现了一类新型高迁移率二维层状氧化物半导体材料BOX (Bi2O2X,X = S, Se, Te, …),其中Bi2O2Se带隙约0.8 eV,电子有效质量约0.14 m0。实现了高质量单层、双层及少层Bi2O2Se二维晶体的化学气相沉积生长,并实现了晶圆级二维单晶薄膜的外延生长。利用微纳加工技术,构筑了高性能场效应晶体管和光电功能器件,并发现了典型二维特征的SdH振荡及量子霍尔效应。该工作将给二维材料与器件应用带来新的机遇。

报告人简介
彭海琳,北京大学教授、国家杰出青年科学基金获得者。吉林大学学士(1996-2000年),北京大学博士(2000-2005年),斯坦福大学博士后(2005-2009年),2009年到北京大学工作至今,从事石墨烯、拓扑绝缘体和二维硫/氧族半导体等高迁移率二维材料的制备方法与器件应用基础研究。已发表论文130余篇(含12篇Nature子刊),被他引逾8000次,申请和授权专利35项。

邀请人:  郭建东  研究员(电话:82648131)
联系人:  朱学涛  副研究员(电话:82649008)


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